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Elektrische Antriebe 3: Leistungselektronische Bauelemente
Springer Berlin Heidelberg
Prof. Dr.-Ing. Dr.-Ing. h.c. Dierk Schröder (auth.)
abb
diode
spannung
gate
thyristor
mosfet
somit
transistor
elektronen
siehe
igbt
raumladungszone
übergang
gilt
gebiet
bzw
struktur
aufgrund
ergibt
strom
uds
halbleiter
emitter
voltage
kollektor
transistors
löcher
devices
dotierung
feldstärke
dargestellt
kanal
effekt
ladungsträger
thyristors
leistungsdiode
bauelemente
rekombination
electron
drain
bereich
ugs
wesentlich
widerstand
bedeutet
minoritätsträger
beispielsweise
spannungen
anode
leistungs
Year:
1996
Language:
german
File:
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german, 1996
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