Fundraising September 15, 2024 – October 1, 2024
About fundraising
books search
books
articles search
articles
Fundraising:
52.4% raised
Log In
Log In
to access more features
personal recommendations
Telegram Bot
download history
send to Email or Kindle
manage booklists
save to favorites
Personal
Book Requests
Explore
Z-Recommend
Booklists
Most Popular
Categories
Contribution
Donate
Uploads
Litera Library
Donate paper books
Add paper books
Search paper books
My LITERA Point
Terms search
Main
Terms search
search
1
Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente
Springer-Verlag Berlin Heidelberg
Dr.-Ing. habil. Jörg Schulze (auth.)
abb
gate
mosfet
typ
silizium
vsd
drain
bzw
mosfets
konzepte
zelle
vertikalen
kanalgebiet
vgl
iedm
spannung
herstellung
cmos
sio2
technologie
vertikale
zeigt
substrat
poly
tech
quasivertikalen
zustand
rechts
transistor
konzept
logik
mittels
deutschland
aufbau
elektronen
japan
schicht
transistors
dram
dotierten
dmos
elektrode
leistungs
dotierung
driftzone
ergibt
lateralen
realisierten
transistoren
abbildung
Year:
2005
Language:
german
File:
PDF, 12.95 MB
Your tags:
0
/
5.0
german, 2005
2
Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente
Springer-Verlag Berlin Heidelberg
Dr.-Ing. habil. Jörg Schulze (auth.)
abb
gate
mosfet
typ
silizium
vsd
drain
bzw
mosfets
konzepte
zelle
vertikalen
kanalgebiet
vgl
iedm
spannung
herstellung
cmos
sio2
technologie
vertikale
zeigt
substrat
poly
tech
quasivertikalen
zustand
rechts
transistor
konzept
logik
mittels
deutschland
aufbau
elektronen
japan
schicht
transistors
dram
dotierten
dmos
elektrode
leistungs
dotierung
driftzone
ergibt
lateralen
realisierten
transistoren
abbildung
Year:
2005
Language:
german
File:
PDF, 12.56 MB
Your tags:
0
/
0
german, 2005
3
Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente GERMAN
Springer
Jörg Schulze
abb
gate
mosfet
typ
silizium
vsd
drain
bzw
mosfets
konzepte
zelle
vertikalen
kanalgebiet
vgl
iedm
spannung
herstellung
cmos
sio2
technologie
vertikale
zeigt
substrat
poly
tech
quasivertikalen
zustand
rechts
transistor
konzept
logik
mittels
deutschland
aufbau
elektronen
japan
schicht
transistors
dram
dotierten
dmos
elektrode
leistungs
dotierung
driftzone
ergibt
lateralen
realisierten
transistoren
abbildung
Year:
2005
Language:
german
File:
PDF, 13.28 MB
Your tags:
0
/
0
german, 2005
1
Follow
this link
or find "@BotFather" bot on Telegram
2
Send /newbot command
3
Specify a name for your chatbot
4
Choose a username for the bot
5
Copy an entire last message from BotFather and paste it here
×
×