Silizium-Halbleitertechnologie

Die Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchf?hrung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen gen?gen m?ssen, um die geforderten Strukturgr??en bis zu wenigen 100 nm gleichm??ig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, ?tzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen, sowie die maschinellen Voraussetzungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erl?utert. Zur ?berpr?fung des Verst?ndnisses sind ?bungsaufgaben zu den einzelnen Themen eingegliedert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchf?hrung der Einzelprozesse, die zur Integrationstechnik zusammengef?hrt werden. Es richtet sich an Studierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Informatik und Physik, sowie an alle, die einen Einblick in die Herstellungstechnik f?r mikroelektronische Bauelemente gewinnen wollen. Die erweiterte zweite Auflage behandelt zus?tzlich neue Entwicklungen der Lithografieverfahren, die Kupfermetallisierung sowie Grundlagen f?r die Herstellung von MOS-Transistoren mit Kanall?ngen bis zu 50 nm.